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英飛凌CIPOS™ Mini IPM助力低功率電機驅動系統提高效率/650V IGBT采用表面貼裝D2PAK封裝實現最大功率密度

2018-06-05   

中國電源產業網

導語:2018年6月1日,德國慕尼黑訊——全球性能效標準通常禁止制造商進口或銷售不符合這些標準的產品。為遵守最低限度的特定要求,必須通過利用最新技術來降低能耗。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX /OTCQX: IFNNY)現推出CIPOS? Mini產品家族的IM512和IM513系列。它們是率先集成CoolMOS? MOSFET的高效IPM(智能功率??椋?,具備出色電子性能。該全新IM51x IPM有助于優化諸如家用電器的壓縮機、泵或風扇等應用的電源效率。

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2018年6月1日,德國慕尼黑訊——全球性能效標準通常禁止制造商進口或銷售不符合這些標準的產品。為遵守最低限度的特定要求,必須通過利用最新技術來降低能耗。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX /OTCQX: IFNNY)現推出CIPOS™ Mini產品家族的IM512和IM513系列。它們是率先集成CoolMOS™ MOSFET的高效IPM(智能功率??椋?,具備出色電子性能。該全新IM51x IPM有助于優化諸如家用電器的壓縮機、泵或風扇等應用的電源效率。

較之傳統的IGBT IPM,基于CoolMOS的CIPOS Mini IPM現在能顯著降低導通和開關損耗。該IM51x系列旨在驅動高達600 W的電機。它們特別適用于經常在輕載條件下工作的系統。由于總功耗降低帶來材料成本降低,所以客戶能節省系統成本,同時保持總效率。IM51x在25°C時具備310 m?的低導通電阻和10 A的額定電流,擊穿電壓為600 V。
它們可以采用全橋(IM512)或三相(IM513)逆變器配置。用于溫度監測的UL認證內置NTC熱敏電阻、欠壓鎖定(UVLO)及過流?;ぃ∣CP)特性可進一步增強系統可靠性。IM51x系列還集成自舉二極管來簡化PCB布局。CIPOS Mini CoolMOS系列的最高工作結溫達150°C,絕緣等級為2000 Vrms一分鐘。
 
650V IGBT采用表面貼裝D2PAK封裝實現最大功率密度 
 
2018年6月1日,德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)進一步壯大其薄晶圓技術TRENCHSTOP™5 IGBT產品陣容。新的產品家族可提供最高40 A 650V IGBT,它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3(亦稱D2PAK)封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率密度日益增長的需求,適于使用自動化表面貼裝生產線。要求最大功率密度和能效的典型應用包括太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、電池充電和蓄電等。
英飛凌的超薄TRENCHSTOP 5技術可以縮小芯片尺寸、提高功率密度。得益于此,英飛凌率先將40 A 650V IGBT和40 A二極管組合到D2PAK封裝中。較之競爭對手的D2PAK封裝產品,這個新的產品家族的額定參數高于市場上的所有其他產品,其他組合封裝解決方案的功率僅為其75%。
新器件的高功率密度允許設計人員升級現有設計,開發輸出功率提高最多25%的新平臺,或者減少并聯功率器件數量,從而實現更緊湊的設計。獨一無二的組合封裝40 A D2PAK可以替代D3PAK或TO-247,用于表面貼裝。這可支持輕松焊接,實現快速且可靠的貼裝生產線。
 

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